等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)有哪些部分组成？
等离子体增强化学气相沉积系统哪些部分组成(PECVD)？很多老师不了解PECVD的组成，下面卓聚科技小编为大家介绍一下。
等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD），符合CE认证标准的三温区CVD系统，生长样品腔的管径60-120mm，它是由高温管式炉、多路高精度流量控制与供气系统、机械泵、真空密封及测量系统、尾气处理系统组成，极限真空度可达 10^-5 torr 。
等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)主要特点：
1，优势在于各种薄膜材料、低维纳米材料等的制备（尤其适用于过渡金属二维半导体材料的生长与原位掺杂，以及多元二维材料的生长）
2，可选配远程等离子射频发生系统，可用于各种薄膜材料、低维纳米材料等的等离子体辅助生长、刻蚀加工与材料表面修饰（尤其适用于石墨烯、氮化硼等二维材料的无催化生长，缺陷调控，以及器件制作工艺中的残胶去除）
3，生长工艺设计先进，能满足任意衬底无催化生长
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